Gassoumi, MalekAldakhil, Tumadhir Abdullah20217101https://hdl.handle.net/20.500.14154/27303تظهر الترانزستورات عالية الحركة للإلكترون (HEMT) كمرشحين واعدين لتطبيقات طاقة الميكروويف وترددات الراديو (RF) وتطبيقات درجات الحرارة العالية. في هذه الأطروحة ، نحن مهتمون بترانزستور AlGaN / GaN ذو البنية غير المتجانسة المزروع على ركيزة SiC شبه عازلة عن طريق ترسيب البخار الكيميائي العضوي وتقنيات إزالة الحزمة الجزيئية. كان هدفنا هو تحديد الانحرافات التي لوحظت في الخصائص الكهربائية للترانزستور وتمييز الأعطال العميقة المسؤولة عن هذه التأثيرات. لذلك، تم فحص Alan / GaN / SiC HEMTS مع وبدون التخميل ، بواسطة قياسات التيار - الجهد (-) ، الجهد التحويلي التحليل الطيفي العابر للمستوى العميق (CDLTS) والوضع النبضي. تُظهر خصائص التيار - الجهد عددًا من الحالات الشاذة مثل تأثيرات التسخين الذاتي والتشابك والتباطؤ ، بينما يكشف القياس النبضي عن تأثيرات تأخر البوابة وتأخر التصريف. تكشف قياسات CDLTS عن وجود اثنين من مصائد الإلكترون ذات المستوى العميق عند 0.40 فولت و 0.62 فولت لقد أظهرنا أن هذه التأثيرات الطفيلية مرتبطة بالعيوب العميقة الموجودة في الترانزستورات. هذه التأثيرات المحاصرة تحد من أداء هيكلنا، من أجل تقليل تأثير المصائد ، تم استخدام طبقة التخميل SiO2 المناسب للعزل. لقد أظهرنا أن التحميل يحسن أداء الجهاز.High electron mobility transistors (HEMT) appear as promising candidates for microwave power, radio-frequency (RF), and high temperature applications. In this thesis, we are interested in AlGaN/GaN heterostructure transistors grown on semi-insulating SiC substrates by Metal Organic Chemical-Vapour Deposition (MOCVD) and Molecular Beam Epitaxy techniques (MBE). Our objective was to identify the anomalies observed in the electrical characteristics of the transistor and to characterize the deep faults responsible for these effects. So, AlGaN/GaN/SiC HEMTs with and without passivation were investigated by Current–Voltage I V ,Transconductance-Voltage G V m  , (Conductance Deep Level Transient Spectroscopy) CDLTS and pulsed mode measurements. The current-voltage characteristics show some anomalies, such as self-heating, kink, and hysteresis effects, while the pulsed measurement reveals gate-lag and drain-lag effects. The CDLTS V measurements reveal the presence of two deep-level electron traps at 0.40eV and 0.62 eV. We have shown that these parasitic effects are linked to the deep defects existing in transistors. These trapping effects limit the performance of our structure. In order to reduce the effect of traps, a proper dielectric passivation SiO2 layer was used. We have shown that passivation improves the performance of the device.86enترانزستورات عالية الحركة للإلكترونالتخميلتأثير التباطؤقياس النبضالتحليل الطيفي العابر للمستوى العميقAlGaN/GaN HEMTpassivationkink effecthysteresis effectCDLTS pulsed measurementThesis