توصيف البنية البلورية للأغشية الرقيقةِAs 〖In〗_x 〖Ga〗

مى عبدالعزيز علي المحيميد2022-05-222023-05-082023-05-092022-05-222023-05-082023-05-097078https://hdl.handle.net/20.500.14154/28682High Resolution X-Ray Diffraction technique is used to study the structural properties of InGaAs/GaAs(100) grown by MOCVD.enتوصيف البنية البلورية للأغشية الرقيقةِAs 〖In〗_x 〖Ga〗_(1-x) بواسطة حيود الأشعة السينيةThesis