A NEW MINIMIZATION TECHNIQUE OF THE ERROR IN SHORT-CHANNEL MOSFET CIRCUITS RESULTING FROM CARRIER MOBILITY REDUCTION

Abstract

من المعلوم أنه كلما قل حجم الترانزيستور فإن العوامل الثانوية المؤثره في أدائه تزداد بشكل كبير وبالتالى فإن هذه العوامل تكون مهمة جدا ويجب اخذها بعين الاعتبار في تصميم الدوائر الإلكترونية. وأهم العوامل المؤثره هي تأثير طول القناة و حركة الإلكترونات في القناة.فمثلا عند زيادة الجهد بين البوابة والمصدر للترانزيستور فإن المجال المغناطيسي بين البوابة والقناة يزداد بشكل كبير الامر الذي يؤدي الى الحد من تنقل الشحنات الكهربائية أسفل البوابة وبالتالي يزداد تشتت اللإلكترونات وهذا يحد من حركتها عبر القناة وهذ مايعرف بإسم (Carrier Mobility Reduction). هذا البحث يقدم طريقة جديده لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الإلكترونات عبر القناة في الدوائر الكهربائية والتى تستخدم ترانزستور قصير القتاة من نوع MOSFET. هذه الطريقة تم تطبيقها على دوائر تماثليه والتي شملت كل من دائرة الجذر التربيعي ودائرة التربيع ودائرة الضرب. تم تنفيذ جميع هذه الدوائر بأستخدام طريقة الحلقة أو مايعرف بإسم (Translinear Loop). تم محاكاة هذه الدوائر بإستخدام أحد البرامج المعتمدة من الصناعة Tanner T-Spice والذي أستخدم فيه نقنية ال CMOS 0.18µm.