Minority carrier injection in epitaxial schottky barrier diodes.

Abstract

من المعروف أن المناطق شبه الموصلة في ثنائي حاجز شوتكي المستنبط بطريقته ابيناكس تتحمل درجات عالية من فرق الجهد العكسي . وحتى يمكن تصنيع هذا النوع من الثنائيات لابد من وجود طبقات سميكة ذات مقاومة عالية . هذه المقاومات العالية لها تأثير ضار على خصائص الثنائيات ، ومن الممكن إنقاص المقاومة بواسطة حقن حوامل شحنات الأقلية . إن ثنائي حاجز شوتكي ذو الحاجز المرتفع بإمكانه حقن كمية لا بأس بها نم حوامل شحنات الأقلية إذا تعرض لجهد تهيئة طبيعية . إن منحني العلاقة بين فرق الجهد والتيار في ثنائي حاجز شوتكي يختلف اختلافاً ملحوظاً من العلاقة الأسية التقليدية ، وذلك إذا تم حقنه بحوامل شحنات الأقلية ، وتهدف هذه الأطروحة إلى تحليل الخصائص المختلفة لثنائي حاجز شوتكي ، وذلك باستنباط نموذج يمثل تيارات الاندفاع والانتشار وإعادة الاتحاد بين الشحنات ، وكذلك خصائص المعوقات الناتجة من السطح البيني الفاصل بين الطبقات ذات الشحنات الكثيفة والأخرى ذات الشحنات القليلة ، وقد وجد أنه إذا كان الحقن قليل فإن منحني العلاقة بين الجهد والتيار يظل كما هو في الحالة التقليدية ، أما في حالة الحقن الكثيف فإن هذا المنحنى يختلف اختلافاً ملحوظاً عن الشكل الأسي التقليدي ، وقد وجد أن التيار يعتمد اعتماداً كبيراً على عرض طبقة الاندفاع ، وكذلك السرعة لافعلية لعودة الشحنات للاتحاد على السطح . أما الاعتماد على كثافة المعالجة فقد وجد أن تأثيره غير ملحوظ ، وقد لوحظ أيضاً أن نسبة الحقن وزمن التخزين تعتمد اعتماداً كبيراً على طول منطقة الاندفاع ، وكذلك سرعة إعادة اتحاد الشحنات على السطح ، ويمكن الحصول على زمن تخزين قصير إذا كانت سرعة إعادة اتحاد الشحنات على السطح كبيرة ، وكذلك فإن الشحنات لامخزونة تقل إذا قل سمك منطقة الاندفاع .