Optical properties of InxGa1-xAs alloys investigated by ellipsometry
No Thumbnail Available
Date
2020
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Saudi Digital Library
Abstract
Experimental measurements using spectroscopic ellipsometry were conducted on GaAs, InAs, and InGaAs compounds. The dielectric function spectra and critical point energies were determined in a spectral range of 0.68 to 3.35eV. Ellipsometry data were analysed and the pseudo dielectric function was extracted using an adequate model. The second energy derivative of the real and imaginary parts of the dielectric function was used to fit standard line shapes of the experimental data. The data displayed numerous spectral features associated with critical points (E0, E1, and E1+ 1) whose energies depended on the indium composition. The precision of measurement was proved by comparing the ellipsometric results to photoreflectance (PR) and photoluminescence (Pl) Outcomes.
Description
أجريت القياسات التجريبية باستخدام القياس الإهليجي الطيفي على مركبات GaAs و InAs و InGaAs. تم تحديد أطياف دالة العزل الكهربائية وطاقات النقطة الحرجة في نطاق طيفي من 0,68 إلى 3,35 الكترون فولت ( eV ) . تم تحليل بيانات القياس الإهليجي واستخراج دالة العزل الكهربائي الخيالية باستخدام نموذج مناسب . تم استخدام مشتق الطاقة الثاني للأجزاء الحقيقية والخيالية لدالة العزل الكهربائية لتلائم أشكال الخطوط القياسية للبيانات التجريبية عرضت البيانات العديد من الميزات الطيفية المرتبطة بالنقاط الحرجة ( 0، 1، 1 + 1 ) التي تعتمد طاقاتها على تركيبة الإنديوم تم إثبات دقة القياس من خلال مقارنة نتائج القياس الإهليجي مع نتائج الانعكاس الضوئي (PR) والتألق الضوئي (PI) .