توصيف البنية البلورية للأغشية الرقيقةِAs 〖In〗_x 〖Ga〗_(1-x) بواسطة حيود الأشعة السينية
No Thumbnail Available
Date
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Saudi Digital Library
Abstract
High Resolution X-Ray Diffraction technique is used to study the structural properties of InGaAs/GaAs(100) grown by MOCVD.