توصيف البنية البلورية للأغشية الرقيقةِAs 〖In〗_x 〖Ga〗_(1-x) بواسطة حيود الأشعة السينية

dc.contributor.authorمى عبدالعزيز علي المحيميد
dc.date2020
dc.date.accessioned2022-05-22T20:10:09Z
dc.date.accessioned2023-05-08T22:01:56Z
dc.date.accessioned2023-05-09T21:39:05Z
dc.date.available2022-05-22T20:10:09Z
dc.date.available2023-05-08T22:01:56Z
dc.date.available2023-05-09T21:39:05Z
dc.degree.departmentكلية العلوم
dc.degree.grantorQassim University
dc.description.abstractHigh Resolution X-Ray Diffraction technique is used to study the structural properties of InGaAs/GaAs(100) grown by MOCVD.
dc.identifier.other7078
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14154/28682
dc.language.isoen
dc.publisherSaudi Digital Library
dc.thesis.sourceQassim University
dc.titleتوصيف البنية البلورية للأغشية الرقيقةِAs 〖In〗_x 〖Ga〗_(1-x) بواسطة حيود الأشعة السينية
dc.typeThesis

Files

Copyright owned by the Saudi Digital Library (SDL) © 2025